Transistor de poder de SI4702-C19-GMR RF - alto rendimiento confiable y durable

Transistores de poder de SI4702-C19-GMR RF

Descripción del producto:

El SI4702-C19-GMR es un transistor de poder del RF del alto rendimiento diseñado para los usos del amplificador de potencia del RF en industrial y aplicaciones de consumidor. Este dispositivo es conveniente para los usos tales como estaciones base celulares, repetidores, y usos inalámbricos del consumidor. Se diseña con un alto voltaje de avería de 30V, una corriente máxima del dren de 10.5A, y una resistencia del en-estado de 0.065Ω.

Características de producto:

• Alto voltaje de avería: 30V
• Corriente máxima del dren: 10.5A
• resistencia del En-estado: 0.065Ω
• Voltaje bajo de la impulsión de la puerta: 3V
• Capacitancia baja de la entrada de puerta: 44.3pF
• Aumento del poder más elevado: 18dB
• Resistencia termal baja: 0.66°C/W
• RoHS obediente

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