Módulo Igbt inversor de alta velocidad con baja resistencia EP3C5E144I7N

Number modelo:EP3C5E144I7N
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto

Alto-velocidadIGBTFuerzaMóduloconBajoEn-resolucióndistanciaEP3C5E144I7N


Nombre del producto: Módulo de alimentación IGBT EP3C5E144I7N3

Parámetros:

• Rango de Voltaje: 600V
• Clasificación actual: 30A
• Voltaje de entrada: 15V
• Voltaje de salida: 600V
• Potencia nominal: 1,8 KW
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C a 125 °C
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a 150°C
• Frecuencia de conmutación: 50 kHz
• Voltaje de aislamiento: 5000 Vrms
• Tipo de paquete: Orificio pasante
• Tipo de montaje: Orificio pasante


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Módulo Igbt inversor de alta velocidad con baja resistencia EP3C5E144I7N

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