Módulo del poder más elevado IGBT de IRG4BC30UDPBF con eficacia de pequeñas pérdidas y alta

Number modelo:IRG4BC30UDPBF
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IRG 4porque30UDPBF - módulo del poder más elevado IGBT con eficacia de pequeñas pérdidas y alta

 

 

Módulo de poder de IRG4BC30UDPBF IGBT

El IRG4BC30UDPBF es un módulo bipolar aislado poder más elevado del transistor de la puerta (IGBT). Este módulo se diseña para los usos de alta frecuencia, de gran eficacia. Ofrece la transferencia de alta velocidad con pérdidas bajas, y está bien adaptado para los usos tales como impulsiones del motor de CA, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), equipo de soldadura, y fuentes de alimentación.

Características:
• grado de 600V VCES
• corriente de colector continua 30A
• voltaje del aislamiento 4.2kV
• funcionamiento de la Rápido-transferencia
• Pérdidas bajas
• RoHS obediente
• Placa de base integral
• Resistencia termal baja
• EMI baja
• Fácil instalar

Usos:
• Impulsiones del motor de CA
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
• Equipo de soldadura
• Fuentes de alimentación

 

 

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