Módulo de poder de IRG4BC20FDPBF IGBT 600 V VCE ultrabajo de gran intensidad (Sat)

Number modelo:IRG4BC20FDPBF
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IRG 4porque20 módulo de poder deFDPBF IGBT - VCE ultrabajo de gran intensidad (sentado) para los usos industriales

 

Descripción de producto:

El módulo de poder de IRG4BC20FDPBF IGBT se diseña para ofrecer rendimiento superior en una variedad de usos. Este módulo ofrece un transistor bipolar de la aislar-puerta (IGBT) con un diodo despreocupado. Es capaz de entregar control de gran intensidad, altas velocidades que cambian, y pérdidas de la energía baja. Con su amplia gama de los voltajes de funcionamiento, este módulo de poder es conveniente para una variedad de usos de la electrónica de poder.

Características:

• 600V IGBT

• Diodo que anda sin embragar

• Control de gran intensidad

• Altas velocidades que cambian

• Pérdidas de la energía baja

• Gama ancha del voltaje de funcionamiento

• Alta gama de temperaturas de funcionamiento

• Resistencia termal baja

• Alta capacidad de la sobretensión

• Aislamiento de alta calidad

• Diseño rentable

Especificaciones:

• Voltaje del Colector-emisor: 600V

• Voltaje de la Colector-base: 600V

• Voltaje de la Emisor-base: 6V

• Corriente de colector máxima: 20A

• Apagón máximo del colector: 0.7W

• Frecuencia que cambia máxima: 100kHz

• Gama de temperaturas de funcionamiento: -40°C a

 

 

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Módulo de poder de IRG4BC20FDPBF IGBT 600 V VCE ultrabajo de gran intensidad (Sat)

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