Capacidad de poder más elevado de alto voltaje del módulo del amplificador de potencia IKW50N60DTPXKSA1

Módulo de poderde IKW 50N60DTPXKSA 1 IGBT – capacidad de poder más elevado de alto voltaje

Módulo de poder de IKW50N60DTPXKSA1 IGBT

Descripción de producto:

El módulo de poder de IKW50N60DTPXKSA1 IGBT es un de alto rendimiento, de pequeñas pérdidas, el transistor bipolar de la aislar-puerta que proporciona rendimiento superior en usos que cambian de gran intensidad. Ofrece un circuito de protección integrado para la sobreintensidad de corriente y las condiciones de sobrecalentamiento, y un voltaje de saturación bajo para la eficacia mejorada. El módulo también ofrece una gama de temperaturas ancha de funcionamiento y una capacidad que cambia de alta frecuencia.

Características:

• De pequeñas pérdidas, transistor bipolar de la aislar-puerta

• Circuito de protección integrado para la sobreintensidad de corriente y las condiciones de sobrecalentamiento

• Voltaje de saturación bajo para la eficacia mejorada

• Gama de temperaturas ancha de funcionamiento

• Capacidad que cambia de alta frecuencia

• Grado actual máximo: 50A

• Voltaje de avería máximo: 600V

• Disipación de poder máxima: 140W

• Temperatura de empalme máxima: 175°C

• Gama de frecuencia de funcionamiento: 200kHz - 30MHz

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