Rendimiento de Chips Voltage 3V de memoria Flash W631GG6MB-11 alto
Número de modelo:W631GG6MB-11
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Almacenamiento de datos de Chips High Performance For Faster de memoria Flash W631GG6MB-11
Descripción de producto:
Este microprocesador de memoria Flash W631GG6MB-11 es una solución
de alto rendimiento y rentable para los usos integrados. Ofrece un
6MB del serial NI memoria Flash y una frecuencia de reloj máxima de
66MHz. Viene con un voltaje de funcionamiento 3V y voltaje de la
entrada-salida 1.8V/3V. El dispositivo también apoya SPI, se
dobla/patio SPI, y los protocolos de QPI.
Parámetros del producto:
- Capacidad: 6MB
- Frecuencia de reloj máxima: 66MHz
- Voltaje de funcionamiento: 3V
- Voltaje de la entrada-salida: 1.8V/3V
- Protocolos apoyados: SPI, dual/patio SPI, y QPI
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Rendimiento de Chips Voltage 3V de memoria Flash W631GG6MB-11 alto
Carro de la investigación
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