Chip CI electrónico de Chip High Speed Low Power de memoria USB MT52L256M32D1PF-107
Número de modelo:PESO MT52L256M32D1PF-107: B
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen China
Dirección:
1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TA52L256 PESOPF-107DEM32D1: Energía baja de alta velocidad del paquete de los microprocesadores de memoria Flash de B 178-VFBGA
Tipo de la memoria | Volátil | |
Formato de la memoria | ||
Tecnología | SDRAM - LPDDR3 móvil | |
Tamaño de la memoria | ||
Organización de la memoria | los 256M x 32 | |
Interfaz de la memoria | - | |
Frecuencia de reloj | 933 megaciclos | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - | |
Voltaje - fuente | 1.2V | |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 178-FBGA (11.5x11) |
Anuncio del producto:
PESO de Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107: Microprocesadores de memoria Flash de B, paquete 178-VFBGA.
Parámetros:
- Densidad: 256Mb (32Mx8)
- Organización: x8
- Vcc: 1.8V
- Velocidad: -12 (1.8V)
- Tipo del paquete: 178-VFBGA
- Temperatura de funcionamiento: 0°C a 70°C
- Tipo de destello: NAND Flash
- Escriba la resistencia: 100K completa un ciclo (típico)
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Chip CI electrónico de Chip High Speed Low Power de memoria USB MT52L256M32D1PF-107
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