Micrón MT41K256M16TW-107 AIT: Chip CI 512Mb DDR3 SDRAM de memoria Flash de P
Number modelo:MT41K256M16TW-107 AIT: P
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Anuncio del producto:
MT41K256M16TW-107 AIT: Microprocesadores de memoria Flash de P
Parámetros:
- Capacidad: 256Mb
- Organización: el 16M x 16
- Tipo: SDRAM
- Densidad: 4Gb
- Interfaz: SDR, RDA, LV-DDR
- Temporeros de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Tipo del paquete: TSOP-64
Situación del producto | Activo | |
Tipo de la memoria | Volátil | |
Formato de la memoria | ||
Tecnología | SDRAM - DDR3L | |
Tamaño de la memoria | ||
Organización de la memoria | los 256M x 16 | |
Interfaz de la memoria | Paralelo | |
Frecuencia de reloj | 933 megaciclos | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - | |
Tiempo de acceso | 20 ns | |
Voltaje - fuente | 1.283V ~ 1.45V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x14) | |
Número bajo del producto |
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Micrón MT41K256M16TW-107 AIT: Chip CI 512Mb DDR3 SDRAM de memoria Flash de P
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