MT40A256M16LY-062E: Chip CI 8Gb DDR3-1600 CL11 204-Pin SO-DIMM de memoria Flash de F
Number modelo:MT40A256M16LY-062E: F
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MT40A256M16LY-062E: Microprocesadores de memoria Flash de F
Especificaciones de producto:
• Capacidad: 256Mb (el 16M x 16)
• Paquete: Arsenal de la rejilla de la bola (BGA)
• Gama de temperaturas: Estándar (0°C a +70°C)
• Interfaz: DDR2
• Organización de la memoria: x16
• Número de pedazos del banco: 4
• Voltaje de VDD: 1.8V
• Voltaje de VDDQ: 1.8V
• Restaure: 8192 cycles/64ms
• Frecuencia de reloj: 166MHz
• Actual de funcionamiento (Idd): Lectura activa: 4.2mA
• Actual de funcionamiento (Idd): Programa activo/borrado: 2.6mA
• Escriba la corriente (Iddq): 0.8mA
• Corriente espera: 0.3mA
• Poder-abajo actual: 0.1mA
• Resistencia: 10.000 ciclos (minuto)
• Retención de los datos: 10 años (minuto)
• Tiempo de acceso: 5.0ns (máximo)
• Ómnibus de la dirección/de datos: 16/8 pedazo
• Máscara de los datos: Pedazo 8
• Solo leído/programa/borrado: Sí
Situación del producto | Activo | |
Tipo de la memoria | Volátil | |
Formato de la memoria | ||
Tecnología | SDRAM - DDR4 | |
Tamaño de la memoria | ||
Organización de la memoria | los 256M x 16 | |
Interfaz de la memoria | Paralelo | |
Frecuencia de reloj | 1,6 gigahertz | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - | |
Tiempo de acceso | 13,75 ns | |
Voltaje - fuente | 1.14V ~ 1.26V | |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (7.5x13.5) | |
Número bajo del producto |
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MT40A256M16LY-062E: Chip CI 8Gb DDR3-1600 CL11 204-Pin SO-DIMM de memoria Flash de F
Carro de la investigación
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