Memoria Flash de CY7C1061G30-10ZSXI salta la velocidad RAM estático del paquete 54-TSOP con el código de Error-corrección (el ECC)
Number modelo:CY7C1061G30-10ZSXI
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
Microprocesadores de memoria Flash de CY7C1061G30-10ZSXI
Velocidad RAM estático del paquete 54-TSOP con el código de Error-corrección (ECC)
Tipo de la memoria | Volátil | |
Formato de la memoria | ||
Tecnología | SRAM - Asincrónico | |
Tamaño de la memoria | ||
Organización de la memoria | el 1M x 16 | |
Interfaz de la memoria | Paralelo | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 10ns | |
Tiempo de acceso | 10 ns | |
Voltaje - fuente | 2.2V ~ 3.6V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TSOP II |
Características
■Velocidad
tAA del ❐ = 10 ns/15 ns
■Integrado error-corrigiendo el código (ECC) para la corrección de
error de un solo bit [1, 2]
■Corrientes activas y espera bajas
❐ ICC = 90 mA de típico en 100 megaciclos
❐ ISB2 = 20 mA de típico
■Gama del voltaje de funcionamiento: 1,65 V a 2,2 V, 2,2 V a 3,6 V,
y
4,5 V a 5,5 V
■1,0 retención de los datos de V
■entradas y salidas compatibles de la lógica del
Transistor-transistor (TTL)
■Perno de la indicación del error (YERRE) para indicar 1 el código
autocorrector mordida
■Disponible en 48 el perno Pb-libre TSOP I, 54 perno paquetes de la
bola VFBGA de TSOP II, y 48
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Memoria Flash de CY7C1061G30-10ZSXI salta la velocidad RAM estático del paquete 54-TSOP con el código de Error-corrección (el ECC)
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