Microprocesador de memoria Flash de W25Q16JWSSIQ 8-SOIC - bajo consumo de energía de lectura/grabación rápido de la velocidad de la alta capacidad

Número de modelo:W25Q16JWSSIQ
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
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Detalles del producto

 

Bajo consumo de energía de lectura/grabación rápidode la velocidadde la alta capacidadde W25Q16JWSSIQ 8- microprocesador de memoria Flash de SOIC -

 

 

Formato de la memoria
Tecnología
FLASH - NI
Tamaño de la memoria
Organización de la memoria
los 2M x 8
Interfaz de la memoria
SPI - Entrada-salida del patio
Frecuencia de reloj
133 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página
3ms
Voltaje - fuente
1.65V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo
Paquete/caso
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

 

Anuncio del producto:

Microprocesadores de memoria Flash de Winbond W25Q16JWSSIQ 8-SOIC

 

Características:

- (los 2M x 8bit) memoria Flash serial 16Mbit
- Tiempo rápido del acceso de lectura: 85MHz
- Interfaz periférico serial estándar (SPI)
- ayuda del voltaje 3V y 1.8V
- paquete de 8-pin SOIC
- Rasgos de seguridad avanzados
- Bajo consumo de energía
- Protección de datos con el final de escribir la detección
- Identificación programable de la seguridad
- 10.000 ciclos del programa/del borrado
- 10 años de retención de los datos
- Resistencia: 1.000.000 ciclos del programa/del borrado
- Solo voltaje de fuente (1.7V a 3.6V)
- Arquitectura versátil del producto
- compatibilidad del interfaz de la entrada-salida 3.3V y 2.5V
- Totalmente compatible con estándares de JEDEC


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Microprocesador de memoria Flash de W25Q16JWSSIQ 8-SOIC - bajo consumo de energía de lectura/grabación rápido de la velocidad de la alta capacidad

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