Memoriadel alto rendimientode W25Q512JVFIQ 16- microprocesador de memoria Flash de SOIC - para el almacenamiento de los datos y del programa

Características:
- densidad de memoria mordida los 512M
- arquitectura uniforme del sector 4KBytes
- La operación de la entrada-salida se dobla/del patio SPI y del patio
- Tarifa de reloj del alto rendimiento
- Salida dual, entrada-salida dual y entrada-salida del patio
- 1.8V al voltaje de funcionamiento 3.6V
- -40°C a la gama de temperaturas de funcionamiento 85°C
- Bajo consumo de energía
- El máximo escribe la velocidad de 25 MB/s
- Resistencia: 10.000 escriben/los ciclos del borrado

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Formato de la memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NI
Tamaño de la memoria	512Mbit
Organización de la memoria	los 64M x 8
Interfaz de la memoria	SPI - Entrada-salida del patio
Frecuencia de reloj	133 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página	-
Voltaje - fuente	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	16-SOIC (0,295", anchura de 7.50m m)
Paquete del dispositivo del proveedor	16-SOIC

Microprocesador de memoria Flash de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - memoria del alto rendimiento para el almacenamiento de los datos y del programa

Microprocesador de memoria Flash de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - memoria del alto rendimiento para el almacenamiento de los datos y del programa

Microprocesador de memoria Flash de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - memoria del alto rendimiento para el almacenamiento de los datos y del programa