MT46V16M16P-5B: M Flash Memory Chips 45 bytes de memoria no volátil
Number modelo:MT46V16M16P-5B:M
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TA46V16M16P-5B: Microprocesadores de memoria Flash de M 45 bytes de memoria no volátil
TA46V16M16P-5B: Microprocesadores de memoria Flash de M
Descripción:
El MT46V16M16P-5B: M es un dispositivo síncrono de alta velocidad y
de la energía baja del doble de datos de la tarifa (RDA) de la
memoria de acceso aleatorio dinámica (SDRAM). Es 16 un dispositivo
de memoria mordido del megohmio x 16 organizado como 8 bancos de 16
megohmios x 8 pedazos. Se diseña para actuar encendido una fuente
5.0V y se fabrica usando el proceso rápido y de la energía baja
Cmos.
Características:
• 1.8V fuente de alimentación del ± 0.1V
• 2.5V fuente de la entrada-salida del ± 0.1V
• 5.0V fuente de alimentación del ± 0.2V
• 16 organización mordida del megohmio x 16
• 8 bancos de 16 megohmios x 8 pedazos
• ómnibus de datos de 8 bits
• Longitud estallada programable
• Estado latente programable de CAS
• Programable auto-restaure
• Fuerza programable de la impulsión de la salida
• JEDEC SDRAM estándar ordena
• Los datos escriben y leen la operación
• Tiempo de acceso de alta velocidad: 5ns (minuto)
• Bajo consumo de energía
• Paquete: 64-pin TSOP II
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electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore,
Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta
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horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron
probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que
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abastecimiento del transporte al comprador global.
MT46V16M16P-5B: M Flash Memory Chips 45 bytes de memoria no volátil
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