Microprocesador de memoria Flash MX25L4006EM2I-12G para el almacenamiento del alto rendimiento

Number modelo:MX25L4006EM2I-12G
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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Microprocesador de memoria Flash MX25L4006EM2I-12G para el almacenamiento del alto rendimiento

 

 

 
Descripción de producto:
 
Se avanzan los microprocesadores de memoria Flash de MX25L4006EM2I-12G, memoria permanente del alto rendimiento. Diseñado para la velocidad, la operación de la energía baja, estos chips de memoria es ideal para los usos tales como sistemas integrados, teléfonos móviles, cámaras digitales y otros dispositivos portátiles.
 
Parámetros del producto:
- Densidad de memoria: 4Mb
- Organización: 512K x 8
- Fuente del voltaje: 2,7 a 3.6V
- Actual leída: 5mA (máximo)
- Escriba actual: 15mA (máximo)
- Corriente del borrado: 25mA (máximo)
- Resistencia: ciclos 100K
- Retención de los datos: 10 años
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Tipo del paquete: SOIC-8
- Tipo de interfaz: SPI
 
 
 
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