Solución no volátil de la memoria de CY15B102Q-SXE IC Chip High Performance Low Power SRAM

Chip CI de CY 15B102Q-SXE de la solución permanente de baja potencia de alto rendimiento de la memoria de CYPRESS SRAM

CY15B102Q-SXE, serial de Cypress NI memoria Flash

Características de producto:
- 8 megabits (serial NI memoria Flash de 1 M x 8)
- 2.7V a la gama del voltaje de fuente de 3.6V VCC
- Tiempo rápido del acceso de lectura: 55/70/85/100/120/140/165/185ns
- -40°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +85°C
- 100.000 ciclos del programa/del borrado
- retención de los datos 20-Year
- Opción industrial de la gama de temperaturas disponible
- Interfaces de SPI, de DSPI, de QSPI, y de DPI
- Opciones de la entrada-salida de Multi-I/O y del patio
- Rasgos de seguridad avanzados

Paquete:
- 8-pin SOIC (150 milipulgadas)
- 8-pin VDFN (3.0x3.0m m)
- 8-pin WSON (6.0x5.0m m)

 
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