S29GL512T11FHIV10 circuito integrado IC Chip High Speed Data Storage que procesa usos industriales

Chip CIdel circuito integradode S29GL512T11FHIV 10

Almacenamiento de datos de alta velocidad que procesa usos industriales

Descripción de producto:

El S29GL512T11FHIV10 es un 512Mb (los 64M x 8) solo dispositivo de memoria Flash del poder del Cmos 3.0V-only. El dispositivo es organizado como palabras de los 64M por 8 pedazos. El dispositivo ofrece los tiempos de acceso más rápidos como 25ns y ofrece un modo estallado para un rendimiento más alto. El S29GL512T11FHIV10 se fabrica usando la última tecnología de proceso del Cmos, que proporciona alto rendimiento y el bajo consumo de energía.

Parámetros:

• Capacidad: 512Mb (los 64M x 8)
• Voltaje de funcionamiento: 3.0V
• Tiempo de acceso: 25ns
• Modo de explosión: Sí
• Consumo de energía: Punto bajo
• Tecnología de proceso: Cmos

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