Electrónica básica IRF840APBF Mosfet para mayor confiabilidad y eficiencia
Number modelo:IRF840APBF
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de potencia de alto rendimiento IRF840APBF MOSFET para mayor confiabilidad y eficiencia
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 38 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1018 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja |
Parámetros:
Embalaje: TO-220AB
Número de pines: 3
Configuración: Individual
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250μA
Carga de puerta (Qg) (máx.) a Vgs: 28 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds: 790pF @ 25V
Potencia - Máx.: 40W
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje: Agujero pasante
Polaridad: Canal N
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Conveniente
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Electrónica básica IRF840APBF Mosfet para mayor confiabilidad y eficiencia
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