Salida de resistencia térmica baja del transistor optoaislador SFH6156-2T 5300Vrms
Number modelo:SFH6156-2T
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Detalles del producto
SFH6156-2T MOSFET Electrónica de potencia
Optoaislador Transistor Salida 5300Vrms Paquete de canales 4-SMD
Voltaje - Aislamiento | 5300 Vrms | |
Relación de transferencia actual (Min) | 63% @ 10mA | |
Relación de transferencia actual (máx.) | 125% @ 10mA | |
Tiempo de encendido/apagado (típico) | 3 µs, 2,3 µs | |
Tiempo de subida/bajada (típico) | 2 µs, 2 µs | |
Tipo de entrada | corriente continua | |
Tipo de salida | Transistor | |
Voltaje - Salida (Máx.) | 70V | |
Corriente - Salida / Canal | 50mA | |
Voltaje: directo (Vf) (típico) | 1,25 V | |
Corriente - CC directa (Si) (Máx.) | 60mA | |
Saturación de Vce (Máx.) | 400mV | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C | |
Tipo de montaje | Montaje superficial | |
Paquete / Caja | 4-SMD, ala de gaviota | |
Paquete de dispositivo del proveedor | 4-SMD |
Descripción: Este MOSFET es un transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora de canal N con una baja resistencia en estado activado.Es adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones que incluyen conmutación, amplificadores y fuentes de alimentación.
Características:
• Baja resistencia en estado activo
• Conmutación de alta velocidad
• Capacitancia de fuente de drenaje baja
• Alta impedancia de entrada
• Baja resistencia térmica
• Baja corriente de fuga de fuente de compuerta
Especificaciones:
• Voltaje drenaje-fuente (Vdss): -100V
• Voltaje de puerta-fuente (Vgss): -20V
• Corriente de drenaje (Id): -1.2A
• Resistencia de encendido de la fuente de drenaje (Rds(on)):
0.07ohm
• Transconductancia (gm): 8.0mS
• Disipación de potencia (Pd): 1,5 W
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C
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Salida de resistencia térmica baja del transistor optoaislador SFH6156-2T 5300Vrms
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