IRFP4468PBF MOSFET Electrónica de potencia MOSFET de canal N de alta intensidad de 100 V
Number modelo:IRFP4468PBF
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IRFP4468PBF MOSFET Electrónica de potencia MOSFET de canal N de alta velocidad de alta velocidad 100V
ProductoDescripción:
1.100Vdrenar-fuentedescomponerVoltaje.
2.Altoactualcapacidaddeencima40A.
3.Bajoen-resolucióndistanciade0.024Ω.
4.Bajopuertacargarde25norteC.
5.Altovelocidadtraspuestadeencima30V/ns.
6.miPlaza bursátil norteamericanadeparaleloabadejo.
7.Bajotérmicoresistencia.
8.Dirigir-gratis(RoSAobediente).
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,6 mOhm a 180 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 540 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 19860 pF a 50 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 520W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AC | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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