MOSFET de canal N FDMA908PZ N Channel Enhance Mosfet 50V 90A 20mΩ
Number modelo:FDMA908PZ
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción del producto: Electrónica de potencia MOSFET FDMA908PZ
Parámetros:
• Voltajes: 8V - 28V
• Paquete: TO-220
• Corriente de drenaje continua máxima: 8A
• Disipación de potencia máxima: 16W
• RDS (activado): 0,19 ohmios
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C
• Voltaje de umbral de puerta: 1,9 V
• Capacidad de entrada: 680pF
• Capacidad de salida: 200pF
• Tiempo de caída: 61ns
• Tiempo de subida: 52ns
• Tensión disruptiva drenaje-fuente: 28V
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12,5 mOhm a 12 A, 4,5 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 34 nC a 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3957 pF a 6 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,4 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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MOSFET de canal N FDMA908PZ N Channel Enhance Mosfet 50V 90A 20mΩ
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