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FDMS7660AS N-Channel 30V 82A Paquete MOSFET rectificado síncrono 8-PQFN para aplicaciones de electrónica de potencia de alta eficiencia
lluvia a voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,4 mOhm a 25 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 90 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6120 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,5 W (Ta), 83 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
Paquete / Caja |
ON Semiconductor FDMS7660AS MOSFET de potencia de canal N, 8-PQFN
Descripción del Producto:
El FDMS7660AS es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para proporcionar alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia en aplicaciones de conmutación y conversión de potencia.Este dispositivo se ofrece en un paquete 8-PQFN y presenta un voltaje de fuente de drenaje máximo de 600 V, una corriente de drenaje máxima de 12 A y una carga de puerta máxima de 90 nC.
Características:
• MOSFET de potencia de canal N
• Voltaje máximo de fuente de drenaje: 600 V
• Corriente máxima de drenaje: 12A
• Carga máxima de puerta: 90nC
• Paquete: 8-PQFN