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Electrónica de poder del MOSFET del semiconductor FDMC4435BZ de Fairchild
Características:
• En-resistencia baja
• Capacitancia entrada baja
• La sola energía de la avalancha del pulso valoró
• El 100% UIS probado
• Facilidad de ser paralelo a
• Transferencia rápida
• Final sin plomo/Rohs obediente
Usos:
• Convertidores de DC-DC
• Control de motor
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Automotriz
• Transferencia de la eficacia alta
• Gestión de la batería
• Dólar, alza y convertidores aislados
Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 40V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Actual - dren continuo (identificación) (en Vgs=10V): 40A
• Identificación de RdsOn (máximo) @, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V
• Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 3700pF @ 25V
• Poder - máximo: 130W
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 20mOhm @ 8.5A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±25V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2045 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.3W (TA), 31W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP (3.3x3.3) | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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