Punto bajo del poder más elevado del tubo del Mosfet de SVD5865NLT4G en la resistencia TO-263AB
Number modelo:SVD5865NLT4G
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Este anuncio está para una electrónica de poder del MOSFET de SVD5865NLT4G.
Características y especificaciones:
- Tipo del MOSFET: Canal N
- Drene el voltaje de la fuente (Vds): 60V
- En-resistencia de la Dren-fuente (Rds): 0,0065 ohmios
- Corriente continua del dren (identificación): 58A
- Disipación de poder (paladio): 230W
- Temperatura de empalme máxima (Tj): 175 grados de cent3igrado
- Temperatura de funcionamiento: -55 a 175 grados de cent3igrado
- Montaje del tipo: Soporte superficial
- Paquete/caso: TO-263-3
- Paquete del dispositivo del proveedor: TO-263AB
- Situación sin plomo/situación de RoHS: Sin plomo/RoHS obediente
- Producto: Electrónica de poder del MOSFET
- Marca: SVD
Situación del producto | Obsoleto | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 16mOhm @ 19A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1400 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 3.1W (TA), 71W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK-3 | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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Punto bajo del poder más elevado del tubo del Mosfet de SVD5865NLT4G en la resistencia TO-263AB
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