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NTJS3151PT1G MOSFET Electrónica de potencia
El NTJS3151PT1G es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET de canal N diseñado para su uso en circuitos de conversión de potencia de alta eficiencia, como convertidores CC/CC, accionamientos de motor y otras aplicaciones de administración de energía.El dispositivo presenta una baja resistencia en estado activo de 0,38 ohmios, una baja capacitancia de transferencia inversa de 0,7 pF y una corriente de drenaje continua máxima de 11,5 A. El dispositivo también presenta un excelente rendimiento térmico con una temperatura de unión máxima de 175 °C y una voltaje máximo de fuente de puerta de 20V.El dispositivo está disponible en el paquete TO-252 estándar de la industria.
Características clave:
• Baja resistencia en estado activo: 0,38 ohmios
• Capacidad de transferencia inversa baja: 0,7 pF
• Corriente de drenaje continua máxima: 11,5 A
• Temperatura máxima de unión: 175°C
• Voltaje máximo de fuente de puerta: 20V
• Paquete TO-252 estándar de la industria
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1,2 V a 100 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8,6 nC a 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 850 pF a 12 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 625 mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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