NTTFS5116PLTAG Mosfet Transistor Alto rendimiento y confiabilidad
Number modelo:NTTFS5116PLTAG
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NTTFS5116PLTAG MOSFET Electrónica de potencia
El NTTFS5116PLTAG MOSFET Power Electronics es un dispositivo semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones.Cuenta con una baja resistencia en estado activado, alta velocidad de conmutación y buenas características de gestión térmica.Este dispositivo es adecuado para su uso en una variedad de topologías de potencia, incluidos convertidores reductores, convertidores elevadores, convertidores de medio puente y convertidores de puente completo.
Características:
• Baja resistencia en estado encendido: RDS (encendido) = 0,091
ohmios
• Alta velocidad de conmutación: tF/tR = 6,5/6,5 nseg.
• Capacidad de corriente máxima alta: IDSM = 11,9 A
• Carga de compuerta baja: Qg = 10,5 nC
• Baja resistencia térmica: RθJC = 0,71°C/W
• Paquete estándar TO-220
• Sin plomo, cumple con RoHS
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 6A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 25 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1258 pF a 30 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 3,2 W (Ta), 40 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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