Eficacia y confiabilidad altas del módulo del transistor del Mosfet FDD86102
Number modelo:FDD86102
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FDD86102 MOSFET Electrónica de potencia
El FDD86102 es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET diseñado para proporcionar conversión de potencia de alta eficiencia.Cuenta con baja resistencia y carga de compuerta baja para una entrega de energía superior.El dispositivo está construido con un paquete mejorado térmicamente de bajo perfil y es adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones.
Características:
• Baja resistencia de encendido - RDS (encendido): 2,2 mOhm (máx.)
• Carga de puerta baja - Qg: 11,5 nC (máx.)
• Paquete de bajo perfil y térmicamente mejorado
• Libre de halógenos y compatible con RoHS
• Adecuado para conversión de energía de alta eficiencia
• Operación de alto voltaje - VDS: 100 V (máx.)
• Operación de alta corriente - ID: 30 A (máx.)
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 19 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1035 pF a 50 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 3,1 W (Ta), 62 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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Eficacia y confiabilidad altas del módulo del transistor del Mosfet FDD86102
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