Eficacia alta del transistor del Mosfet de NVMFS5113PLT1G bajo en resistencia
Number modelo:NVMFS5113PLT1G
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NVMFS5113PLT1G MOSFET Electrónica de potencia
Descripción: NVMFS5113PLT1G es un dispositivo de electrónica de potencia MOSFET.Es un transistor de potencia, un tipo de transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal (MOSFET) que se puede utilizar para controlar el flujo de corriente eléctrica en los circuitos.
Características:
• Robusto y confiable
• Baja resistencia y carga de compuerta baja
• Capacitancia de salida baja
• Velocidades de conmutación rápidas
• Bajo voltaje de umbral de puerta-fuente
• Capacitancia de drenaje de compuerta baja
• Disipación de alta potencia
• Capacidad de manejo de alta corriente
• Funcionamiento a alta temperatura
Aplicaciones:
• Control del motor
• Administración de energía
• Fuente de alimentación DC
• Circuitos inversores
• Circuitos cargadores de batería
• Fuentes de alimentación conmutadas
• Regulacion de voltaje
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 17A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,5 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 83 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4400 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 3,8 W (Ta), 150 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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Eficacia alta del transistor del Mosfet de NVMFS5113PLT1G bajo en resistencia
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