Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FET de voltaje ultrabajo de alto rendimiento
Number modelo:NVMFS5C646NLWFAFT1G
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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del Producto:
El NVMFS5C646NLWFAFT1G es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET de alto rendimiento diseñado para brindar una eficiencia y confiabilidad energética superiores.Este MOSFET de canal N es adecuado para usar en una variedad de aplicaciones, que incluyen conversión de energía, control de motores y acondicionamiento de señales.Está construido con una puerta de alto voltaje integrada y un diodo de cuerpo integrado, lo que permite su uso en aplicaciones de alta potencia.Con una excelente resistencia de encendido y una carga de compuerta baja, este dispositivo proporciona una mayor eficiencia energética y confiabilidad en una amplia variedad de sistemas.
Características:
-Electrónica de potencia MOSFET de alto rendimiento
-Puerta de alto voltaje integrada
-Diodo de cuerpo integrado
-Excelente resistencia
-Carga de puerta baja
-Amplia variedad de sistemas
Aplicaciones:
-Conversión de energía
-Control del motor
-Acondicionamiento de señal
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4,7 mOhmios a 50 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 33,7 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2164 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 3,7 W (Ta), 79 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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