Rendimiento del Mosfet NTMFS5C604NLT3G del poder alto y confiable comunes
Number modelo:NTMFS5C604NLT3G
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Anuncio del producto: Electrónica de poder del MOSFET de NTMFS5C604NLT3G
Características de producto:
• MOSFET del canal N
• voltaje de la dren-fuente 60V
• corriente continua del dren 4A
• En-resistencia baja
• Voltaje bajo del umbral
• Velocidad que cambia rápida
• Aspereza mejorada
• Halógeno-libre
• RoHS obediente
• la avalancha 100% probó
• Sin plomo
Uso:
• Convertidores de DC/DC
• Transferencia de fines generales
• Sistema de alimentación ininterrumpida
• Corrección de factor de poder
• Iluminación de estado sólido
• Fuentes de alimentación del modo que cambian
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 8900 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 3.9W (TA), 200W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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