Eficacia alta de alta calidad común del Mosfet NTMT090N65S3HF del poder
Number modelo:NTMT090N65S3HF
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de NTMT090N65S3HF
Características de producto:
• MOSFET del canal N 900V
• 30A RDS (encendido)
• Carga baja de la puerta
• Miller Capacitance bajo
• Transferencia de alta velocidad
• Qg y Qgd bajos
• El 100% UIS probado
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Configuración: Canal N
• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 900V
• Corriente continua del dren (identificación): 30A
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0,0058 ohmios
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Carga de la puerta (Qg): 48nC
• Capacitancia entrada (CISS): 3.2nF
• Disipación de poder (paladio): 109W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Estilo de la caja del transistor: TO-220AB
• No. de pernos: 3
• Montaje del tipo: A través del agujero
Situación del producto | No para los nuevos diseños | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 90mOhm @ 18A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 860µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2930 PF @ 400 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 272W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-PQFN (8x8) | |
Paquete/caso |
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Eficacia alta de alta calidad común del Mosfet NTMT090N65S3HF del poder
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