Eficacia alta y confiabilidad del módulo del Mosfet del poder de BSC0901NSATMA1Common
Number modelo:BSC0901NSATMA1
Lugar del origen:Multi-origen
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BSC0901NSATMA1 MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del Producto:
El BSC0901NSATMA1 es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET de alto rendimiento diseñado para proporcionar un rendimiento de conmutación y suministro de energía superiores.Construido con tecnología de silicio sobre aislante (SOI), es ideal para aplicaciones como control de motores, alimentación digital, fuentes de alimentación conmutadas e inversores de células solares.Ofrece baja carga de compuerta, baja resistencia, operación de alta frecuencia y excelente gestión térmica.
Características del producto:
• Operación de alta frecuencia
• Carga de puerta baja
• Baja resistencia
• Excelente gestión térmica
• Tecnología de silicio sobre aislante (SOI)
• Voltaje máximo de fuente de drenaje de 600 V
• Corriente pico máxima de 40A
• Disipación de potencia máxima de 500W
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1,9 mOhm a 30 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,2 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 44 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,5 W (Ta), 69 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-5 | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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