IRFB7546PBF Power Mosfet 100V 50A N-Channel Low RDS (On) Orificio pasante
Number modelo:IRFB7546PBF
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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Listado de productos:
IRFB7546PBF MOSFET Electrónica de potencia
• Vds: 75V
• Identificación: 57A
• Rds (encendido): 0.100ohm
• Paquete: TO-220AB
• Tipo de montaje: Orificio pasante
• Configuración: Individual
• Tipo de FET: MOSFET de canal N
• Polaridad del transistor: canal N
• Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 75 V
• Voltaje máximo de la fuente de la puerta: 20 V
• Corriente máxima de drenaje: 57A
• Resistencia máxima de fuente de drenaje: 0.100ohm
• Disipación de energía: 115W
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C
• Marca: IRFB7546PBF
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7,3 mOhmios a 45 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3,7 V a 100 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 87 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3000 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 99W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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