Interruptores de potencia confiables del alto rendimiento del Mosfet del poder de IRFB4019PBF
Number modelo:IRFB4019PBF
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IRFB4019PBF MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del Producto:
El IRFB4019PBF es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET basado en silicio de alto rendimiento de International Rectifier.Es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) controlado por voltaje que está diseñado para proporcionar un rendimiento superior en el suministro de energía y otras aplicaciones de conversión de energía.Este dispositivo está disponible en un paquete TO-220AC con una almohadilla térmica extendida.
Características:
• Baja resistencia en estado activado (RDS(on))
• Carga de puerta baja (Qg)
• Capacitancia de fuente de compuerta baja (Ciss)
• Temperatura máxima de unión (Tjmax) de 175°C
• Tensión máxima de drenaje a fuente (VDS) de 600 V
• Corriente máxima de drenaje (ID) de 60A
• Rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 175 °C
• Sin Pb, cumple con RoHS
Solicitud:
El IRFB4019PBF es adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores de energía solar, controladores de motores y otras aplicaciones de conversión de energía.
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4,9 V a 50 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 800 pF a 50 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 80W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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