IRFB7730PBF Mosfet de potencia de alto voltaje y capacidad de corriente alta
Number modelo:IRFB7730PBF
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Dentro de 38 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
IRFB7730PBF MOSFET Electrónica de potencia:
Características:
-MOSFET de canal N de 100 V
-RDS típico (encendido) = 0,052 ohmios
-Carga de puerta baja (Qg)
-Cruz baja
-AEC-Q101 calificado
Aplicaciones:
-Conmutación de energía
-Protección de batería
-Convertidores CC-CC
-Conmutación de carga de alta corriente
-Conmutación de carga lateral alta
-Conmutación de propósito general
Parámetros:
-Voltaje de fuente de drenaje: 100V
-Corriente de drenaje continua: 56A
-Disipación de energía: 0.8W
-Voltaje de fuente de puerta: ±20V
-RDS (activado): 0,052 ohmios
-Qg Carga total de puerta: 28nC
-Transconductancia: 16,2 S
-Capacidad de entrada: 590pF
-Paquete/Estuche: TO-220AB
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,6 mOhm a 100 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3,7 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 407 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13660 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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IRFB7730PBF Mosfet de potencia de alto voltaje y capacidad de corriente alta
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