Accione el poder más bajo del Mosfet IPD60R2K1CEAUMA1 en la conmutación de poder de la resistencia
Number modelo:IPD60R2K1CEAUMA1
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del Producto:
El IPD60R2K1CEAUMA1 es un MOSFET de potencia de canal N, optimizado
para aplicaciones de conmutación de potencia.Este dispositivo está
diseñado con tecnología MOSFET de trinchera avanzada para un RDS
(ON) excelente y una carga de compuerta baja.Proporciona un
rendimiento de conmutación superior con tiempos de conmutación
rápidos y carga de compuerta de bajo nivel.Con una amplia gama de
VDSS, este dispositivo es adecuado para una variedad de
aplicaciones de energía.
Características:
• MOSFET de potencia de canal N
• Tecnología MOSFET de trinchera avanzada
• Optimizado para aplicaciones de conmutación de energía
• RDS bajo (ON)
• Carga de puerta baja
• Tiempos de conmutación rápidos
• Carga de compuerta de bajo nivel
• Amplia gama de VDSS
• Adecuado para una variedad de aplicaciones de energía
Especificaciones:
• Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 60 V
• Corriente de drenaje (ID): 2A
• RDS (ENCENDIDO): 1,45 mΩ
• Voltaje de puerta-fuente (VGS): ±20V
• Disipación de potencia máxima (PD): 2,2 W
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,1 ohmios a 760 mA, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3,5 V a 60 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6,7 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140 pF a 100 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 38W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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Accione el poder más bajo del Mosfet IPD60R2K1CEAUMA1 en la conmutación de poder de la resistencia
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