Mosfet de IRF6613TRPBF en En-resistencia baja de alta frecuencia de la electrónica de poder
Number modelo:IRF6613TRPBF
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
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1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de IRF6613TRPBF
Descripción de producto:
El IRF6613TRPBF es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET
del modo del aumento del canal N, diseñado para los usos que
cambian de alta frecuencia. Este dispositivo ofrece en-resistencia
baja y la capacidad de carga de gran intensidad, tomándole una
decisión ideal para la gestión del poder y la conversión de
circuitos de alta frecuencia.
Características:
• En-resistencia baja
• Capacidad de carga de gran intensidad
• Transferencia de alta frecuencia
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Polaridad: Canal N
• Voltaje: 30V
• Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 30V
• Voltaje del umbral de la puerta (Vgs): -4V
• Drene la corriente (identificación): -6A
• Corriente continua del dren (identificación): -6A
• Disipación de poder (paladio): 130W
• Estilo de la caja del transistor: TO-220AB
• No. de pernos: 3
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 3.4mOhm @ 23A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.25V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 63 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 5950 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 2.8W (TA), 89W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TA DE DIRECTFET™ | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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Mosfet de IRF6613TRPBF en En-resistencia baja de alta frecuencia de la electrónica de poder
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