Mosfet de IRFIZ44NPBF en tensión da alta temperatura del alto rendimiento de la electrónica de poder la baja
Number modelo:IRFIZ44NPBF
Lugar del origen:Multi-origen
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Anuncio del producto:
IRFIZ44NPBF - Electrónica de poder del MOSFET del canal N
•Ideal para los usos automotrices, industriales y de los productos
electrónicos de consumo
•VDS (v): 30V
•RDS (encendido) (Ω): 0.071Ω
•Qg (típico): 11.8nC
•Qgs (típico): 2.1nC
•Qgd (típico): 10.3nC
•Paladio (máximo): 16.2W
•Paquete/caso: TO-220-3L
•Montaje del tipo: A través del agujero
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 24mOhm @ 17A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1300 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 45W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB Lleno-Pak | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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Mosfet de IRFIZ44NPBF en tensión da alta temperatura del alto rendimiento de la electrónica de poder la baja
Carro de la investigación
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