Mosfet de IRFB4229PBF en de pequeñas pérdidas de alta frecuencia de gran intensidad de la electrónica de poder
Number modelo:IRFB4229PBF
Lugar del origen:Multi-origen
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del poder de IRFB4229PBF
Características de producto:
• Modo del aumento del canal N
• 100V, 37A, RDS (encendido) = 0.065Ω
• Carga baja de la puerta (tipo. 11nC)
• Crss bajo (tipo. 0.13A)
• Transferencia rápida
• RoHS obediente
• Sin plomo
• Halógeno-libre
Descripción de producto:
El IRFB4229PBF es un MOSFET del canal N diseñado para los usos que cambian del poder. Ofrece una en-resistencia de 0.065Ω, un grado actual de 37A, y un voltaje de funcionamiento de 100V. El dispositivo tiene una carga baja de la puerta de 11nC y de un Crss bajo de 0.13A. Es RoHS obediente y sin plomo/Halógeno-libre.
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 46mOhm @ 26A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4560 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 330W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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Mosfet de IRFB4229PBF en de pequeñas pérdidas de alta frecuencia de gran intensidad de la electrónica de poder
Carro de la investigación
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