Mosfet de IRFB7740PBF en capacidad de gran intensidad de alto voltaje de la electrónica de poder
Number modelo:IRFB7740PBF
Lugar del origen:Multi-origen
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto
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Detalles del producto
La electrónica de poder del MOSFET de IRFB7740PBF es un dispositivo de alto rendimiento, rentable que ofrece una en-resistencia baja, una alta velocidad que cambia, y un funcionamiento de alta frecuencia. Este dispositivo es ideal para los usos que requieren la transferencia eficiente, confiable, y de alta potencia.
Especificaciones de producto:
• Voltaje máximo de la Dren-fuente: 100V
• Voltaje máximo de la Puerta-fuente: 20V
• Corriente continua del dren: 30A
• Corriente máxima del pulso: 190A
• En-resistencia máxima de la Dren-fuente: 0.036Ω
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Paquete: TO-220AB
• RoHS obediente
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7.3mOhm @ 52A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.7V @ 100µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4650 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 143W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
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