IRL60HS118 MOSFET Mosfet en electrónica de potencia Alto voltaje Alto voltaje Bajo resistencia

Number modelo:IRL60HS118
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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IRL60HS118 MOSFET Lista de productos de electrónica de potencia


Nombre del producto: Electrónica de potencia MOSFET IRL60HS118

Descripción: este MOSFET está diseñado para su uso en aplicaciones de alta frecuencia, como fuentes de alimentación conmutadas, unidades de motor y amplificadores de potencia.Ofrece un excelente rendimiento de conmutación, con baja resistencia, carga de puerta baja y velocidad de conmutación rápida.


Características y beneficios:


• Baja resistencia: proporciona baja pérdida de conducción y eficiencia mejorada
• Carga de puerta baja: permite un tiempo de conmutación rápido
• Operación de alta frecuencia: ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
• Cumple con RoHS: Cumple con las regulaciones ambientales de RoHS


Especificaciones:


• Voltaje drenaje-fuente (Vdss): 400V
• Corriente de drenaje continua (Id): 15A
• Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Disipación de Potencia (Pd): 135W
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C
• Estilo de caja de transistores: TO-220AB
• Tipo de canal: canal N.


Estado del producto
Activo
Tipo FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2,3 V a 10 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8 nC a 4,5 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
660 pF a 25 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
11,5 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Paquete de dispositivo del proveedor
6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja
Número de producto base

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