IRF8788TRPBF Mosfet en electrónica de potencia de alto voltaje y grado actual
Number modelo:IRF8788TRPBF
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IRF8788TRPBF MOSFET Electrónica de potencia
Descripción del producto: El IRF8788TRPBF es un dispositivo electrónico de potencia MOSFET avanzado.Está diseñado para proporcionar un rendimiento superior en aplicaciones que requieren conmutación de alta tensión y corriente.Tiene una baja resistencia y una rápida velocidad de conmutación, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta corriente.
Características:
• Baja resistencia
• Velocidad de conmutación rápida
• Capacidad de alta corriente
• Protección ESD (±20kV HBM)
• Reducción de EMI
• Protección de apagado térmico
• Sin plomo, cumple con RoHS
Índices absolutos máximos:
• Voltaje de la fuente de drenaje (VDS): 100 V
• Voltaje de fuente de puerta (VGS): ±20V
• Corriente de drenaje (ID): 10A
• Disipación de potencia (PD): 0,5 W
• Rango de temperatura de funcionamiento (TJ): -55 a 150 °C
• Rango de temperatura de almacenamiento (Tstg): -55 a 150 °C
Paquete: D2PAK
Fabricante: Infineon Technologies
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2,8 mOhmios a 24 A, 10 V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,35 V a 100 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 66 nC a 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5720 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,5 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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IRF8788TRPBF Mosfet en electrónica de potencia de alto voltaje y grado actual
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