Mosfet en la conmutación de bajo voltaje del alto rendimiento de la electrónica de potencia Si2307CDS-T1-GE3

Nombre del producto: MOSFET Si2307CDS-T1-GE3

Descripción del producto: El MOSFET Si2307CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones de electrónica de potencia.Presenta baja resistencia de encendido, tiempo de conmutación rápido y carga de compuerta baja.Su capacitancia de transferencia inversa ultrabaja y su carga de compuerta mejorada minimizan las pérdidas de conmutación y conducción.

Características clave:

• Baja resistencia de encendido
• Tiempo de cambio rápido
• Carga de puerta baja
• Capacitancia de transferencia inversa ultrabaja
• Carga de puerta mejorada
• Pérdidas de conducción bajas
• Disipación de alta potencia
• Operación a alta temperatura
• Baja capacitancia de entrada
• Operación de alta frecuencia

Aplicaciones:

• Convertidores CC-CC
• Circuitos de suministro de energía
• Circuitos de control de motores
• Reguladores de conmutación
• Control de iluminación
• Cargadores de bateria
• Amplificadores de potencia
• Sistemas de energía solar
• Aplicaciones Automotrices
• Aplicaciones industriales

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