P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A de la electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W 6-MCPH el solo Diodo-protegió la puerta
Number modelo:MCH6341-TL-W
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET de MCH6341-TL-W
6-MCPH el solo P-canal ESD del paquete 59mΩ 5A diodo-protegió la puerta
Situación del producto | Activo | |
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 59mOhm @ 3A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.6V @ 1mA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 430 PF @ 10 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | - | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MCPH | |
Paquete/caso |
Características
• RDS bajo (encendido)
• impulsión 4V • conformidad Pb-libre y de RoHS
• El ESD diodo-protegió la puerta
Especificaciones
Grados máximos absolutos en Ta=25°C
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