FDC602P MOSFET Power Electronics Paquete SuperSOT™-6 Canal P Gestión de batería especificada de 2,5 V
Number modelo:FDC602P
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Detalles del producto
FDC602P MOSFET Electrónica de potencia
Paquete SuperSOT™-6 Canal P 2.5V Administración de batería especificada
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5 V, 4,5 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.5A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1,5 V a 250 µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC a 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1456 pF a 10 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 1,6 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT™-6 | |
Paquete / Caja |
Descripción general
Este MOSFET especificado de canal P de 2,5 V utiliza una versión de
compuerta robusta del proceso PowerTrench avanzado de Fairchild.Ha
sido optimizado para aplicaciones de administración de energía con
una amplia gama de voltaje de accionamiento de compuerta (2.5V -
12V).
Aplicaciones
· Gestión de la batería
· Interruptor de carga
· Funciones de protección de la batería
· –5,5 A, –20 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4,5 V RDS(ON) = 50 mW @ VGS = –2,5 V
· Velocidad de conmutación rápida
· Tecnología de trinchera de alto rendimiento para un RDS(ON) extremadamente bajo
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FDC602P MOSFET Power Electronics Paquete SuperSOT™-6 Canal P Gestión de batería especificada de 2,5 V
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