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Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 720 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,4 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) | |
Paquete / Caja |
Listado de productos:
ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Electrónica de potencia
Características clave:
- RDS bajo (encendido) de 0,05 ohmios
- Carga de puerta baja
- Qg mejorado y área de operación segura
- Alta capacidad de corriente pico
- Carga de puerta baja
- Cambio rápido
- RoHS
- AEC-Q101 calificado
Aplicaciones:
- Convertidores CC/CC
- Inversores CC/CA
- Cargadores de bateria
- Fuentes de alimentación para servidores/portátiles
- Aplicaciones automotrices
Especificaciones técnicas:
- Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 600V
- Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
- Corriente de drenaje (ID): 58A
- RDS (activado): 0,05 ohmios
- Disipación de potencia máxima (PD): 115W
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C