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Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11.5A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 91 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±25V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3970 pF a 15 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 2,3 W (Ta), 41 W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-MLP (3,3x3,3) | |
Paquete / Caja |
Listado de productos:
Nombre del producto: ON Semiconductor FDMC6679AZ MOSFET de potencia de canal N
Descripción del producto: El MOSFET de potencia de canal N FDMC6679AZ de ON Semiconductor es un dispositivo de alta velocidad, bajo voltaje y completamente agotado que está diseñado para proporcionar un rendimiento superior, confiabilidad y bajo consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones.
Características del producto:
• Canal N
• Operación de bajo voltaje
• Conmutación de alta velocidad
• Bajo consumo de energía
• Alta capacidad de corriente
• Alta frecuencia de conmutación
• Carga de puerta baja
• Funcionamiento a alta temperatura
• Baja resistencia en estado activo
• RoHS
Especificaciones del producto:
• Voltaje nominal: 20 V
• Corriente de drenaje continua: 27A
• Voltaje máximo de fuente de drenaje: -30V
• Fuente de drenaje en resistencia: 0.0045Ω
• Voltaje de umbral de puerta: 2,5 V
• Temperatura máxima de funcionamiento: 175 °C
• Tipo de montaje: Montaje en superficie
• Paquete/Estuche: TO-252