FDMC6679AZ Electrónica de potencia MOSFET de modo de mejora de canal N de doble canal para aplicaciones de alta eficiencia

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Detalles del producto
FDMC6679AZ Electrónica de potencia MOSFET de modo de mejora de canal N de doble canal para aplicaciones de alta eficiencia

Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
91 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3970 pF a 15 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
2,3 W (Ta), 41 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Paquete de dispositivo del proveedor
8-MLP (3,3x3,3)
Paquete / Caja

Listado de productos:

Nombre del producto: ON Semiconductor FDMC6679AZ MOSFET de potencia de canal N

Descripción del producto: El MOSFET de potencia de canal N FDMC6679AZ de ON Semiconductor es un dispositivo de alta velocidad, bajo voltaje y completamente agotado que está diseñado para proporcionar un rendimiento superior, confiabilidad y bajo consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones.


Características del producto:
• Canal N
• Operación de bajo voltaje
• Conmutación de alta velocidad
• Bajo consumo de energía
• Alta capacidad de corriente
• Alta frecuencia de conmutación
• Carga de puerta baja
• Funcionamiento a alta temperatura
• Baja resistencia en estado activo
• RoHS


Especificaciones del producto:
• Voltaje nominal: 20 V
• Corriente de drenaje continua: 27A
• Voltaje máximo de fuente de drenaje: -30V
• Fuente de drenaje en resistencia: 0.0045Ω
• Voltaje de umbral de puerta: 2,5 V
• Temperatura máxima de funcionamiento: 175 °C
• Tipo de montaje: Montaje en superficie
• Paquete/Estuche: TO-252


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