Descripción

Este MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P se produce utilizando la tecnología DMOS y de banda plana patentada de Fairchild Semiconductor.Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio, motor de CC
control y aplicaciones de potencia de conmutación variable.

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Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	900 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 44 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63

FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ

FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ

FQD17P06TM MOSFET Electrónica de potencia QFET de canal P -60 V -12 A 135 mΩ