Paquete aumentado canal N TO-252 de despegue del dV del diodo del cuerpo de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR3607TRPBF y de despegue de los dI

Number modelo:IRFR3607TRPBF
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Paquete aumentado canal N TO-252 de despegue del dV del diodo del cuerpo de la electrónica de poder del MOSFET de IRFR3607TRPBF y de despegue de los dI

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
3070 PF @ 50 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
D-Pak
Paquete/caso

 

 

Usos
¿? Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
¿? Sistema de alimentación ininterrumpida
¿? Transferencia de alta velocidad del poder
¿? Ventajas difícilmente cambiadas y de alta frecuencia de los circuitos
¿? Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
¿? Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
¿? Diodo aumentado dV/dt y dI/dt del cuerpo

 

 

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