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Canal N DC DC de la electrónica de poder del MOSFET de IRFB7545PBF e inversores de los convertidores de la CA DC
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 5.9mOhm @ 57A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.7V @ 100µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4010 PF @ 25 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 125W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 | |
Paquete/caso |
Uso
el cepilló usos de la impulsión del motor
usos de la impulsión del motor del BLDC
circuitos con pilas del
topologías del semipuente y del lleno-puente del
usos síncronos del rectificador del
fuentes de alimentación resonantes del modo del
anillo o del e interruptores redundantes
DC/DC y convertidores de AC/DC
inversores del DC/AC
Ventajas
puerta mejorada , avalancha y aspereza dinámica de dV/dt
el caracterizó completamente la capacitancia y la avalancha SOA
diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
sin plomo, RoHS obediente