MOSFETs de los FETs del soporte superficial del canal N 30V de la electrónica de poder del MOSFET AON7406 los solos empaquetan 8-DFN-EP
Number modelo:AON7406
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Detalles del producto
Electrónica de poder del MOSFET AON7406
MOSFETs de los FETs del soporte superficial del canal N 30V los solos empaquetan 8-DFN-EP
Tipo del FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | ||
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | ||
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.4V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 888 PF @ 15 V | |
Característica del FET | - | |
Disipación de poder (máxima) | 3.1W (TA), 15.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montaje del tipo | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP (3x3) | |
Paquete/caso | ||
Número bajo del producto |
Descripción general
• El AON7406 utiliza tecnología y diseño avanzados del foso para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) la carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso en SMPS y usos de fines generales.
• RoHS y obediente Halógeno-libre
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